casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BUK9C10-65BIT,118
Número de pieza del fabricante | BUK9C10-65BIT,118 |
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Número de parte futuro | FT-BUK9C10-65BIT,118 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BUK9C10-65BIT,118 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 65V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 75A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 25A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 59.6nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4170pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 171W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D2PAK-7 |
Paquete / Caja | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BUK9C10-65BIT,118 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BUK9C10-65BIT,118-FT |
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