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Microsemi Corporation APTML20UM18R010T1AG

Número de pieza de MFG
APTML20UM18R010T1AG
Cantidad disponible
50730 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
- MOSFET N-CH 200V 109A SP1
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
APTML20UM18R010T1AG Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 109A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 2.5mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 9880pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 480W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SP1
Paquete / Caja SP1
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
APTML20UM18R010T1AG Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto APTML20UM18R010T1AG-FT

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