casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDI150N10
Número de pieza del fabricante | FDI150N10 |
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Número de parte futuro | FT-FDI150N10 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDI150N10 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 57A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 49A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4760pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 110W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | I2PAK (TO-262) |
Paquete / Caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDI150N10 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDI150N10-FT |
IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
IPZ65R095C7XKSA1
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BSS192PH6327FTSA1
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BSS192PE6327T
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BSS192PH6327XTSA1
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BSS192PL6327HTSA1
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XC2S200-5FGG456I
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XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
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LFE2-50E-6F484I
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LCMXO3L-2100C-5BG256I
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LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
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