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ON Semiconductor FDI045N10A

Name: FDI045N10A
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDI045N10A
Availability: InStock
Rating: 4.8 (621 reviews)

Número de pieza de MFG: FDI045N10A

Cantidad disponible: 81080 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDI045N10A.pdf

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FDI045N10A Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDI045N10A
Número de parte futuro	FT-FDI045N10A
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDI045N10A Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	120A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5270pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	263W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDI045N10A Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDI045N10A-FT

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