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ON Semiconductor FDI038AN06A0

Name: FDI038AN06A0
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDI038AN06A0
Price: 1.967328 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (43 reviews)

Número de pieza de MFG: FDI038AN06A0

Cantidad disponible: 62200 Piezas

Precio de referencia: USD 1.967328

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDI038AN06A0.pdf

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Número de pieza del fabricante	FDI038AN06A0
Número de parte futuro	FT-FDI038AN06A0
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDI038AN06A0 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	17A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	124nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	6400pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	310W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDI038AN06A0 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDI038AN06A0-FT

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