casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDH50N50-F133
Número de pieza del fabricante | FDH50N50-F133 |
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Número de parte futuro | FT-FDH50N50-F133 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UniFET™ |
FDH50N50-F133 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 48A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 6460pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 625W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH50N50-F133 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDH50N50-F133-FT |
GP1M023A050N
Global Power Technologies Group
GP2M009A090NG
Global Power Technologies Group
GP2M011A090NG
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GP2M012A080NG
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GP2M023A050N
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GP1M003A050FG
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GP1M003A080FH
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GP1M004A090FH
Global Power Technologies Group
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Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation