casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FDG6313N
Número de pieza del fabricante | FDG6313N |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDG6313N |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDG6313N Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 500mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 50pF @ 10V |
Potencia - max | 300mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88 (SC-70-6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6313N Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDG6313N-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
LFXP2-5E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FGG676C
Xilinx Inc.
XC6SLX45-3FGG484C
Xilinx Inc.
AFS600-1FGG484K
Microsemi Corporation
A3P125-VQG100T
Microsemi Corporation
A42MX16-3VQG100I
Microsemi Corporation
EP3C5U256I7
Intel
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation