casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FDG6304P
Número de pieza del fabricante | FDG6304P |
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Número de parte futuro | FT-FDG6304P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDG6304P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 410mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 62pF @ 10V |
Potencia - max | 300mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88 (SC-70-6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6304P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDG6304P-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
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IRF5810
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Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
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