casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / FDG6304P
Número de pieza del fabricante | FDG6304P |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDG6304P |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FDG6304P Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 25V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 410mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 62pF @ 10V |
Potencia - max | 300mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-88 (SC-70-6) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDG6304P Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDG6304P-FT |
DMC25D0UVT-7
Diodes Incorporated
SI3585CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix
DMC25D0UVT-13
Diodes Incorporated
DMC2038LVTQ-7
Diodes Incorporated
IRF5810
Infineon Technologies
IRF5810TR
Infineon Technologies
IRF5810TRPBF
Infineon Technologies
IRF5850
Infineon Technologies
IRF5850TR
Infineon Technologies
IRF5850TRPBF
Infineon Technologies
XA3S1600E-4FGG400I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-3N
Intel
5SGXEA9K3H40C2LN
Intel
5SGXMA7H1F35C1N
Intel
10AX115H2F34I2SG
Intel
5AGTMC3D3F31I5N
Intel
EP20K200EBC652-2
Intel
EP20K100CQ208C8ES
Intel