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ON Semiconductor FDFME2P823ZT

Name: FDFME2P823ZT
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDFME2P823ZT
Availability: InStock
Rating: 4.6 (704 reviews)

Número de pieza de MFG: FDFME2P823ZT

Cantidad disponible: 15950 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET P-CH 20V 2.6A 6MICROFET

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDFME2P823ZT.pdf

FDFME2P823ZT Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDFME2P823ZT
Número de parte futuro	FT-FDFME2P823ZT
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDFME2P823ZT Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	142 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	7.7nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	405pF @ 10V
Característica FET	Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max)	1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	6-MicroFET (1.6x1.6)
Paquete / Caja	6-UFDFN Exposed Pad
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDFME2P823ZT Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDFME2P823ZT-FT

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