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ON Semiconductor FDD10N20LZTM

Name: FDD10N20LZTM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDD10N20LZTM
Price: 0.290808 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (72 reviews)

Número de pieza de MFG: FDD10N20LZTM

Cantidad disponible: 93290 Piezas

Precio de referencia: USD 0.290808

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: UniFET™ MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK-3

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDD10N20LZTM.pdf

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FDD10N20LZTM Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDD10N20LZTM
Número de parte futuro	FT-FDD10N20LZTM
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	UniFET™
FDD10N20LZTM Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	7.6A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	585pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDD10N20LZTM Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDD10N20LZTM-FT

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