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ON Semiconductor FDB86102LZ

Name: FDB86102LZ
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB86102LZ
Price: 0.671968 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (432 reviews)

Número de pieza de MFG: FDB86102LZ

Cantidad disponible: 85030 Piezas

Precio de referencia: USD 0.671968

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDB86102LZ.pdf

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FDB86102LZ Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDB86102LZ
Número de parte futuro	FT-FDB86102LZ
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	PowerTrench®
FDB86102LZ Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	8.3A (Ta), 30A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	1275pF @ 50V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	3.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263AB
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB86102LZ Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDB86102LZ-FT

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