casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDB6030BL
Número de pieza del fabricante | FDB6030BL |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDB6030BL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDB6030BL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1160pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 60W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | R-6 |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB6030BL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDB6030BL-FT |
FDB031N08
ON Semiconductor
FDB120N10
ON Semiconductor
FDB12N50TM
ON Semiconductor
FDB14AN06LA0-F085
ON Semiconductor
FDB2532
ON Semiconductor
FDB2552-F085
ON Semiconductor
FDB2572
ON Semiconductor
FDB2710
ON Semiconductor
FDB3672-F085
ON Semiconductor
FDB8441
ON Semiconductor
XCV200-5FG256I
Xilinx Inc.
APA150-FGG256
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
A40MX04-1PL68
Microsemi Corporation
EP1M350F780C6
Intel
LCMXO2-2000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-40E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H1F34I1SG
Intel
EP1C6Q240C7N
Intel
EP1K100QC208-1GZ
Intel