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ON Semiconductor FDB12N50TM

Número de pieza de MFG
FDB12N50TM
Cantidad disponible
56790 Piezas
Precio de referencia
USD 0.968832
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
UniFET™ MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-FDB12N50TM
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie UniFET™
FDB12N50TM Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 11.5A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 650 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 1315pF @ 25V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor D²PAK
Paquete / Caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB12N50TM Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto FDB12N50TM-FT

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