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ON Semiconductor FDZ3N513ZT

Name: FDZ3N513ZT
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDZ3N513ZT
Availability: InStock
Rating: 4.8 (101 reviews)

Número de pieza de MFG: FDZ3N513ZT

Cantidad disponible: 78640 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: - MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDZ3N513ZT.pdf

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FDZ3N513ZT Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FDZ3N513ZT
Número de parte futuro	FT-FDZ3N513ZT
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
FDZ3N513ZT Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 4.5V
Vgs (Max)	+5.5V, -0.3V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	85pF @ 15V
Característica FET	Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (max)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	4-WLCSP (0.96x0.96)
Paquete / Caja	4-UFBGA, WLCSP
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDZ3N513ZT Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDZ3N513ZT-FT

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