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ON Semiconductor FDB42AN15A0-F085

Name: FDB42AN15A0-F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: FDB42AN15A0-F085
Availability: InStock
Rating: 4.7 (22 reviews)

Número de pieza de MFG: FDB42AN15A0-F085

Cantidad disponible: 12250 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® MOSFET N-CH 150V 35A TO-263AB

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FDB42AN15A0-F085.pdf

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Número de pieza del fabricante	FDB42AN15A0-F085
Número de parte futuro	FT-FDB42AN15A0-F085
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FDB42AN15A0-F085 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	35A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	42 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	36nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	2040pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	D²PAK (TO-263)
Paquete / Caja	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDB42AN15A0-F085 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FDB42AN15A0-F085-FT

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