casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDB110N15A
Número de pieza del fabricante | FDB110N15A |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FDB110N15A |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | PowerTrench® |
FDB110N15A Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 92A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 92A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 61nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 4510pF @ 75V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 234W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D²PAK |
Paquete / Caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDB110N15A Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDB110N15A-FT |
FDB0250N807L
ON Semiconductor
FDB0300N1007L
ON Semiconductor
FDB0165N807L
ON Semiconductor
FDB016N04AL7
ON Semiconductor
FDB0190N807L
ON Semiconductor
FDB0105N407L
ON Semiconductor
FDB0170N607L
ON Semiconductor
FDB024N04AL7
ON Semiconductor
FDB0690N1507L
ON Semiconductor
FDB0630N1507L
ON Semiconductor
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel