casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCP150N65F
Número de pieza del fabricante | FCP150N65F |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FCP150N65F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiPerFET™, Polar™ |
FCP150N65F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 650V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 24A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.4mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3737pF @ 100V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 298W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220-3 |
Paquete / Caja | TO-220-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCP150N65F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCP150N65F-FT |
FQP3N60C
ON Semiconductor
FDP10N60NZ
ON Semiconductor
FDP24N40
ON Semiconductor
FQP3N80C
ON Semiconductor
FDP090N10
ON Semiconductor
FDP8440
ON Semiconductor
FQP44N10
ON Semiconductor
FQP27N25
ON Semiconductor
MTP3055VL
ON Semiconductor
FDP5N50NZ
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel