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ON Semiconductor FCI25N60N-F102

Name: FCI25N60N-F102
Brand: ON Semiconductor
SKU: FCI25N60N-F102
Price: 2.98144 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (741 reviews)

Número de pieza de MFG: FCI25N60N-F102

Cantidad disponible: 10600 Piezas

Precio de referencia: USD 2.98144

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fabricante: ON Semiconductor

Breve descripción: SupreMOS™ MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: FCI25N60N-F102.pdf

FCI25N60N-F102 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	FCI25N60N-F102
Número de parte futuro	FT-FCI25N60N-F102
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	SupreMOS™
FCI25N60N-F102 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	25A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	74nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	3352pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	216W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor	I2PAK (TO-262)
Paquete / Caja	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FCI25N60N-F102 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	FCI25N60N-F102-FT

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