casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCH130N60
Número de pieza del fabricante | FCH130N60 |
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Número de parte futuro | FT-FCH130N60 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET® II |
FCH130N60 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 28A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 3590pF @ 380V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 278W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 |
Paquete / Caja | TO-247-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCH130N60 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCH130N60-FT |
GP1M016A060N
Global Power Technologies Group
GP1M020A050N
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GP1M020A060M
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GP1M020A060N
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GP2M012A080NG
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GP2M020A050N
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GP2M020A060N
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A3P015-QNG68I
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XC4010XL-2PQ100C
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Xilinx Inc.
A1440A-1VQG100C
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQU
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EP4CE55F23C9LN
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EP3C80F780I7N
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