casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FCD5N60TF
Número de pieza del fabricante | FCD5N60TF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-FCD5N60TF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SuperFET™ |
FCD5N60TF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 4.6A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 600pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 54W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | D-Pak |
Paquete / Caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FCD5N60TF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FCD5N60TF-FT |
2SJ377(TE16R1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ610(TE16L1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SJ687-ZK-E1-AY
Renesas Electronics America
2SK2231(TE16R1,NQ)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2266(TE24R,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2845(TE16L1,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2883(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK2993(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3068(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
2SK3127(TE24L,Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
M2GL025T-1VFG256I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-1
Intel
EPF10K130EFC484-1N
Intel
5SGSED6K2F40I3L
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
5SGXEA3K3F35C2N
Intel
XC6VLX240T-L1FFG1759I
Xilinx Inc.
XC4VLX60-12FFG1148C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP20K100FI324-2XV
Intel