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Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2845(TE16L1,Q)

Name: 2SK2845(TE16L1,Q)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2SK2845(TE16L1,Q)
Availability: InStock
Rating: 4.8 (285 reviews)

Número de pieza de MFG: 2SK2845(TE16L1,Q)

Cantidad disponible: 42010 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descripción: - MOSFET N-CH 900V 1A DP

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: 2SK2845(TE16L1,Q).pdf

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Número de pieza del fabricante	2SK2845(TE16L1,Q)
Número de parte futuro	FT-2SK2845(TE16L1,Q)
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
2SK2845(TE16L1,Q) Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	900V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	350pF @ 25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	DP
Paquete / Caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
2SK2845(TE16L1,Q) Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	2SK2845(TE16L1,Q)-FT

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