Número de pieza del fabricante | F25 |
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Número de parte futuro | FT-F25 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F25 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 2500V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 350mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 5V @ 100mA |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 250ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 250nA @ 1500V |
Capacitancia a Vr, F | 2.5pF @ 5V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -65°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F25 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | F25-FT |
SDT10A100P5-7
Diodes Incorporated
SDT10A100P5-7D
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-13
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-13D
Diodes Incorporated
SDT10A45P5-7D
Diodes Incorporated
SDT15150P5-13D
Diodes Incorporated
SDT15150P5-7
Diodes Incorporated
SDT15150P5-7D
Diodes Incorporated
SDT20B100D1-13
Diodes Incorporated
SDT5100D1-13
Diodes Incorporated
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel