casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / F1T2GHA1G
Número de pieza del fabricante | F1T2GHA1G |
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Número de parte futuro | FT-F1T2GHA1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
F1T2GHA1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | T-18, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | TS-1 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1T2GHA1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | F1T2GHA1G-FT |
EM 2
Sanken
EM 2A
Sanken
EM 2AV
Sanken
EM 2AV0
Sanken
EM 2B
Sanken
EM 2BV
Sanken
EM 2BV0
Sanken
EM 2V
Sanken
EM 2V0
Sanken
EM01
Sanken
M2GL090-1FCSG325
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APA300-BG456
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5SGXEB5R3F40C2N
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XC7VX330T-2FFV1761C
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XC6VHX380T-2FFG1155C
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XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
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LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation