Número de pieza del fabricante | EM 2BV |
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Número de parte futuro | FT-EM 2BV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 2BV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1.2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 920mV @ 1.2A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 2BV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EM 2BV-FT |
D2450N07TXPSA1
Infineon Technologies
D2520N22TVFXPSA1
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D2650N24TVFXPSA1
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D4810N28TVFXPSA1
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D5810N06TVFXPSA1
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D650N02TXPSA1
Infineon Technologies
D650N06TXPSA1
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D690S20TXPSA1
Infineon Technologies
M2GL090-1FCSG325
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APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
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XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation