casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / F1T1G A1G
Número de pieza del fabricante | F1T1G A1G |
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Número de parte futuro | FT-F1T1G A1G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
F1T1G A1G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 150ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacitancia a Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | T-18, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | TS-1 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
F1T1G A1G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | F1T1G A1G-FT |
EM 1V
Sanken
EM 1V0
Sanken
EM 1Y
Sanken
EM 1YV
Sanken
EM 1YV0
Sanken
EM 1YV1
Sanken
EM 1Z
Sanken
EM 1ZV
Sanken
EM 1ZV0
Sanken
EM 2
Sanken
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel