Número de pieza del fabricante | EM 1ZV |
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Número de parte futuro | FT-EM 1ZV |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EM 1ZV Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 970mV @ 1A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EM 1ZV Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EM 1ZV-FT |
D1230N14TXPSA1
Infineon Technologies
D1230N16TXPSA1
Infineon Technologies
D1800N46TVFXPSA1
Infineon Technologies
D1800N48TVFXPSA1
Infineon Technologies
D2450N02TXPSA1
Infineon Technologies
D2450N04TXPSA1
Infineon Technologies
D2450N06TXPSA1
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D2450N07TXPSA1
Infineon Technologies
D2520N22TVFXPSA1
Infineon Technologies
D2650N24TVFXPSA1
Infineon Technologies
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel