casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ESH1B-M3/5AT
Número de pieza del fabricante | ESH1B-M3/5AT |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ESH1B-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH1B-M3/5AT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1B-M3/5AT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ESH1B-M3/5AT-FT |
BYG21M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel