casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / BYG22B-M3/TR
Número de pieza del fabricante | BYG22B-M3/TR |
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Número de parte futuro | FT-BYG22B-M3/TR |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BYG22B-M3/TR Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Avalanche |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG22B-M3/TR Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | BYG22B-M3/TR-FT |
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS14-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS26SHE3_B/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
ES1A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
B360A-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10YHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2D-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS16-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H10-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel