casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ESH1B-E3/61T
Número de pieza del fabricante | ESH1B-E3/61T |
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Número de parte futuro | FT-ESH1B-E3/61T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ESH1B-E3/61T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 1µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ESH1B-E3/61T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ESH1B-E3/61T-FT |
BYG21K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG21M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22A-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22B-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG22D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel