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Rohm Semiconductor ES6U3T2CR

Número de pieza de MFG
ES6U3T2CR
Cantidad disponible
97970 Piezas
Precio de referencia
USD 0.1566
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fabricante
Rohm Semiconductor
Breve descripción
- MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
ES6U3T2CR Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.4A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 1.4nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 70pF @ 10V
Característica FET Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) 700mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor 6-WEMT
Paquete / Caja SOT-563, SOT-666
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ES6U3T2CR Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto ES6U3T2CR-FT

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