casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / ES6U2T2R
Número de pieza del fabricante | ES6U2T2R |
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Número de parte futuro | FT-ES6U2T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES6U2T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.5A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 110pF @ 10V |
Característica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Disipación de potencia (max) | 700mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-WEMT |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES6U2T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES6U2T2R-FT |
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