Número de pieza del fabricante | ES2DRX |
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Número de parte futuro | FT-ES2DRX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2DRX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 980mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 25ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200nA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOD-123W |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOD-123W |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2DRX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES2DRX-FT |
PMEG3010AESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG4010AESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG3010AESBZ
Nexperia USA Inc.
PMEG3010ESBYL
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PMEG3010ESBZ
Nexperia USA Inc.
PMEG4010AESBZ
Nexperia USA Inc.
PMEG4010ESBYL
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PMEG4010ESBZ
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PMEG6010AESBYL
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PMEG6010ESBYL
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A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel