casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / PMEG3010AESBYL
Número de pieza del fabricante | PMEG3010AESBYL |
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Número de parte futuro | FT-PMEG3010AESBYL |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PMEG3010AESBYL Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 480mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 3.5ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 255µA @ 20V |
Capacitancia a Vr, F | 86pF @ 1V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 2-XDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | DSN1006-2 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG3010AESBYL Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | PMEG3010AESBYL-FT |
GURF5H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1035-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1035HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1050-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1050HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H100HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF10H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRF1660-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel