casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ES2DHE3J/52T
Número de pieza del fabricante | ES2DHE3J/52T |
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Número de parte futuro | FT-ES2DHE3J/52T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES2DHE3J/52T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 200V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 900mV @ 2A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 30ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacitancia a Vr, F | 18pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES2DHE3J/52T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES2DHE3J/52T-FT |
US1B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1G-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel