casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / US1B-M3/5AT
Número de pieza del fabricante | US1B-M3/5AT |
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Número de parte futuro | FT-US1B-M3/5AT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US1B-M3/5AT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-214AC, SMA |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1B-M3/5AT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | US1B-M3/5AT-FT |
S1K-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1M-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2B-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2B-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SA2B-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
LFE5U-85F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484I7G
Intel
EP4SGX290KF43C4
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
5SGXMA4H3F35C3N
Intel
XC3190A-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324I
Xilinx Inc.
AGLP060V5-CSG289
Microsemi Corporation