casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / ES1JF R2G
Número de pieza del fabricante | ES1JF R2G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-ES1JF R2G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ES1JF R2G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 35ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
Capacitancia a Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMAF |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1JF R2G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | ES1JF R2G-FT |
VSSAF3M10HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF510HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF512-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XCV300E-7FG256I
Xilinx Inc.
EP20K300EBC672-2X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
XC7K325T-1FF900C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29I3LG
Intel
EP1SGX25DF1020C6
Intel