casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / VSSAF3M6-M3/H
Número de pieza del fabricante | VSSAF3M6-M3/H |
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Número de parte futuro | FT-VSSAF3M6-M3/H |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF3M6-M3/H Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 60V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 620mV @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 300µA @ 60V |
Capacitancia a Vr, F | 500pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-221AC (SlimSMA) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 175°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF3M6-M3/H Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | VSSAF3M6-M3/H-FT |
UG06A A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06A R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06AHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06B R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel