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EPC2107 Image

EPC EPC2107

Número de pieza de MFG
EPC2107
Cantidad disponible
88960 Piezas
Precio de referencia
USD 0.6944
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Fecha de envío
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fabricante
EPC
Breve descripción
eGaN® GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
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Número de parte futuro FT-EPC2107
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie eGaN®
EPC2107 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potencia - max -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 9-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 9-BGA (1.35x1.35)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2107 Peso Contáctenos
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