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Infineon Technologies IPG20N06S3L-23

Número de pieza de MFG
IPG20N06S3L-23
Cantidad disponible
38600 Piezas
Precio de referencia
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Fecha de envío
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fabricante
Infineon Technologies
Breve descripción
OptiMOS™ MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante IPG20N06S3L-23
Número de parte futuro FT-IPG20N06S3L-23
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie OptiMOS™
IPG20N06S3L-23 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2950pF @ 25V
Potencia - max 45W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 8-PowerVDFN
Paquete del dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-4
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPG20N06S3L-23 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto IPG20N06S3L-23-FT

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