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EPC EPC2107ENGRT

Name: EPC2107ENGRT
Brand: EPC
SKU: EPC2107ENGRT
Price: 0.6944 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (689 reviews)

Número de pieza de MFG: EPC2107ENGRT

Cantidad disponible: 48140 Piezas

Precio de referencia: USD 0.6944

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fabricante: EPC

Breve descripción: eGaN® GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: EPC2107ENGRT.pdf

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EPC2107ENGRT Presupuesto

Número de pieza del fabricante	EPC2107ENGRT
Número de parte futuro	FT-EPC2107ENGRT
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	eGaN®
EPC2107ENGRT Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Característica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Potencia - max	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	9-VFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor	9-BGA (1.35x1.35)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2107ENGRT Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	EPC2107ENGRT-FT

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