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EPC EPC2106ENGRT

Número de pieza de MFG
EPC2106ENGRT
Cantidad disponible
24030 Piezas
Precio de referencia
USD 0.6272
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Fecha de envío
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fabricante
EPC
Breve descripción
eGaN® GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-EPC2106ENGRT
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie eGaN®
EPC2106ENGRT Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 2A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 600µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 0.73nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 75pF @ 50V
Potencia - max -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja Die
Paquete del dispositivo del proveedor Die
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2106ENGRT Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto EPC2106ENGRT-FT

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