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EPC EPC2012

Name: EPC2012
Brand: EPC
SKU: EPC2012
Availability: InStock
Rating: 5.0 (345 reviews)

Número de pieza de MFG: EPC2012

Cantidad disponible: 63880 Piezas

Precio de referencia: USD 0

Nuestro precio: Tenemos un gran descuento, contáctenos

Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: EPC

Breve descripción: eGaN® GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: EPC2012.pdf

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EPC2012 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	EPC2012
Número de parte futuro	FT-EPC2012
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	eGaN®
EPC2012 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1.8nC @ 5V
Vgs (Max)	+6V, -5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	145pF @ 100V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	-
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	Die
Paquete / Caja	Die
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2012 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	EPC2012-FT

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