casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDMS5672
Número de pieza del fabricante | FDMS5672 |
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Número de parte futuro | FT-FDMS5672 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UltraFET™ |
FDMS5672 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10.6A (Ta), 22A (Tc) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 10.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2800pF @ 30V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.5W (Ta), 78W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-MLP (5x6), Power56 |
Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDMS5672 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | FDMS5672-FT |
FQI50N06LTU
ON Semiconductor
FQI50N06TU
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FQI5N15TU
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
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EP2S30F672C4
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10M40DCF672C7G
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A42MX16-3PQ100
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EP4CGX22CF19C6N
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