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EPC EPC2012C
- Número de pieza de MFG
- EPC2012C
- Cantidad disponible
- 67740 Piezas
- Precio de referencia
- USD 0.952
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- Fecha de envío
- Podemos enviar hoy
- fabricante
- EPC
- Breve descripción
- eGaN® GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
- Estado sin plomo / estado RoHS
- Cumple con RoHS (sin plomo)
- Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código de fecha (D / C)
- Nuevo
- categoria de producto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de stock
- Distribuidor Franquiciado
- Garantía
- Garantía de calidad de 360 días.
- ficha de datos
- EPC2012C.pdf
EPC2012C Presupuesto
| Número de pieza del fabricante | EPC2012C |
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-EPC2012C |
| SPQ / MOQ | Contáctenos |
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | eGaN® |
| EPC2012C Estado (ciclo de vida) | En stock |
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnología | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5A (Ta) |
| Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.3nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 140pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (max) | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete del dispositivo del proveedor | Die Outline (4-Solder Bar) |
| Paquete / Caja | Die |
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EPC2012C Peso | Contáctenos |
| Número de pieza de repuesto | EPC2012C-FT |
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