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EPC2007C Image

EPC EPC2007C

Número de pieza de MFG
EPC2007C
Cantidad disponible
52030 Piezas
Precio de referencia
USD 0.7392
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Fecha de envío
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fabricante
EPC
Breve descripción
eGaN® GANFET TRANS 100V 6A BUMPED DIE
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante EPC2007C
Número de parte futuro FT-EPC2007C
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie eGaN®
EPC2007C Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 6A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1.2mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 2.2nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 220pF @ 50V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor Die Outline (5-Solder Bar)
Paquete / Caja Die
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2007C Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto EPC2007C-FT

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