casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMH2T2R
Número de pieza del fabricante | EMH2T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMH2T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMH2T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMH2T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMH2T2R-FT |
RN4910,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4991(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4981,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1907,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
XCS10-4TQ144C
Xilinx Inc.
EPF10K50ETC144-3N
Intel
XC6SLX100T-3FGG900I
Xilinx Inc.
5SGXEABK3H40I3LN
Intel
XC7K160T-2FFG676C
Xilinx Inc.
LFXP3C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65DF29C6G
Intel
EPF10K50VRC240-1
Intel
EP1K30QC208-2
Intel
5SGXEA3H1F35C2LN
Intel