casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMH1T2R
Número de pieza del fabricante | EMH1T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMH1T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMH1T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 22 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMH1T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMH1T2R-FT |
RN1906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906,LF
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RN1907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1908(T5L,F,T)
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RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1911(T5L,F,T)
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RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4006E-2TQ144C
Xilinx Inc.
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGXEA3K3F40C2LN
Intel
10M50DAF672C6G
Intel
10AX048H2F34I2LG
Intel
10AX027H3F35E2LG
Intel
XC2V1500-4BGG575I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC3E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX110DF29C3
Intel