casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / RN1906,LF
Número de pieza del fabricante | RN1906,LF |
---|---|
Número de parte futuro | FT-RN1906,LF |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
RN1906,LF Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 200mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | US6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RN1906,LF Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | RN1906,LF-FT |
RN4990FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1901FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2901FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2911FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1962FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1963FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC2S50E-6TQ144C
Xilinx Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150T-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC4013XL-09HT176C
Xilinx Inc.
5SGXEA4K3F40I3N
Intel
EP2AGX45DF25I3N
Intel
5SGXEA7K3F35C2LN
Intel
5SGXMA4K3F35C4N
Intel
EP1S30F780I6N
Intel
EP20K200CB652C9
Intel