casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMD9T2R
Número de pieza del fabricante | EMD9T2R |
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Número de parte futuro | FT-EMD9T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMD9T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD9T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMD9T2R-FT |
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1911(T5L,F,T)
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RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3S200-4TQG144I
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M2GL050-1FGG484I
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EP1K50FI256-2N
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5SGXEA4K3F40C3N
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3SG
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Intel