casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, Pre-polar / EMD5T2R
Número de pieza del fabricante | EMD5T2R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-EMD5T2R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EMD5T2R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms, 4.7 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 47 kOhms, 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-563, SOT-666 |
Paquete del dispositivo del proveedor | EMT6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMD5T2R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | EMD5T2R-FT |
RN1910,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4985,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1902T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
XC3SD1800A-4CS484I
Xilinx Inc.
XC3042L-8VQ100C
Xilinx Inc.
5SGXMA7K2F35C2LN
Intel
A42MX16-3PLG84
Microsemi Corporation
A42MX09-TQ176A
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29C4
Intel
EP3CLS70F780C7N
Intel
10AX027E1F27E1HG
Intel
EP20K100QC240-3N
Intel